某半导体芯片生产厂家因晶圆洗掉工艺技术生产含氨废水加工处理工艺，出水量200吨/天。废水加工处理工艺中除氯离子外还内含氟化物和进样器天价属，加工处理关卡大。本县排放出标准规定氯离子＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 电镀废水成份及因素 晶圆进行维护清洁废污水（注意來源）：含化学需氧量200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀制作工序废气：含氢化物发生器铜、镍等天价属，pH值动荡大 CMP打磨污水：含硅粒子及化学需氧量 清理技术环节 分为"耐腐蚀结晶+膜分離+折点氯化"三人组合工艺技术： 预外理 ：添加CaCl2除氟，把控pH在7.5-8. 反渗透装置平台 ：取除0.01μm以内粒状物 反融于提液 ：将挥发酚沉淀至1000mg/L以上的 折点氯化 ：精确度设定氯加药量，将高锰酸盐指数转为为惰性气体 阴阳离子互转 ：后勤保障血本属考核标准 既定的效果 氧化还原电位保持稳定＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 高价属硫含量降至监测限 水中水回用率达75% 生活污水出现量可以减少40%