半导体封装废水怎么处理方法|半导体封装废水处理案例
大型项目时代背景
该中小型单位坐落于辽宁省东莞市,具体从事专业中高端半导体材料心片的封口检测,日排出废用水量约200吨。是因为制作步骤中用许多种物理解毒药,废污水化学成分很复杂,具有刺激性高溶液浓度铜、镍等巨资属已经环氧防锈漆硅胶粘合剂、光刻胶等有机酸生态破坏物。中小型单位已有处理配制始终无法 达到最新信息排出规范,肯定需要版本升级拆除。
废污水营养成分及因素
真空镀膜废气
:因素于电源芯片引脚化学镍工艺流程,包含有铜、镍、锡等天价属阳离子,pH值变化大。
巧妙废水处理工艺
:具体来自于封裝胶固化型、光刻工艺设计,含带环氧树酯环氧树酯、异丙醇、甲苯等巧妙石油醚。
耐酸碱废水处理
:呈现于晶圆擦洗和蚀刻程序,有盐酸、硫酸钠、氢被氧化钠等。
解决生产工艺流程图步骤
预处置时段
酸碱平衡采和
:能够 投加药剂体系的调节pH至6-9,不要下一步补救设施腐蚀性。
混疑放置
:添加PAC(汇聚氯化铝)和PAM(聚炳烯酰胺),弄掉悬浮物物和一部分血本属。
关键治理一阶段
高级的被氧化
:采取Fenton化学试剂(H₂O₂+Fe²⁺)分解的难可降解巧妙物,COD避开率达70%及以上。
膜滤水
:反进行渗透装置(UF)+反进行渗透(RO)组装制作工艺,进一大步挤占天价属和溶解性性充分物。
厚度治理第一阶段
铝离子交流
:专做真对铜、镍铁离子,保证 溢水高价属含磷量远低于0.5mg/L。
几丁质酶炭吸咐
:作后面切实保障,取除留氢化物发生器有机会物。
结果是作用
经治理后,留水土质超过《光电产业水污染源物释放要求》(GB 39731-2020):COD<50mg/L、铜<0.3mg/L、镍<0.1mg/L,回收利用率加快至60%,年浪费纯净水成本费约80万的大写。